Hilda Esperanza Esparza Ponce

Grados Académicos

• Doctorado en Ciencia de Materiales, CIMAV (2003)

Desempeño y Cargo

• Nivel: TECNICO TITULAR C
• Area: MATERIALES NANOESTRUCTURADOS
• Linea de investigación: Recubrimientos
• SNI: I

Publicaciones

Ultimas 5 publicaciones:

• H.E. Esparza-Ponce, J. Hernández-Borja, A. Reyes-Rojas, M. Cervantes-Sánchez,Y.V. Vorobiev, R. Ramírez-Bon, J.F. Pérez-Robles, J. González-Hernández. Growth technology, X-ray and optical properties of CdSe thin films. Materials Chemistry and Physics. .
• A. Reyes-Rojasa,�??, H. Esparza-Poncea, S.D. De la Torreb, E. Torres-Moyea. Compressive strain-dependent bending strength property of Al2O3�??ZrO2(1.5 mol% Y2O3) composites performance by HIP. Materials Chemistry and Physics. .
• I. Yocupicio-Villegas, , H.E. Esparza-Ponce, A. Duarte-Möller. X-ray absorption spectroscopy and X-ray diffraction analysis of crystalline CoTi2. Journal of Alloys and Compounds. Vol.474. No.1-2. pp283-286 (2009).
• F. Espinosa-Magaña, Alberto Rosas, Hilda Esparza, M.T. Ochoa-Lara, A. Aguilar-Elguezabal. In situ study of the metal-insulator transition in VO2 by EELS and ab initio calculations. MICRON. .
• A.M. Beesley, M.T. Crespo, N. Weiher, N. Tsapatsaris, J.S. Cózar , H. Esparza, C. G. Méndez, P. Hill, S.L.M. Schroeder, M.E. Montero-Cabrera. Evolution of chemical species during electrodeposition of uranium for alpha spectrometry by the Hallstadius method. Applied Radiation and Isotopes. Vol.67. No.9. pp1559-1569 (2009).

Reconocimientos y Distinciones

• Investigador Nacional Nivel 1
  CONACYT
• Candidato Sistema Nacional de Investigadores
  CONACYT

Areas de Interés

• Crecimiento de peliculas delgadas mediante PVD
• Caracterización de materiales mediante microscopia electrónica
• Crecimiento de peliculas delgadas semiconductoras mediante CBD